关于内存时序的知识整理

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”
CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上;
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;
RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;
Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
CL：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长短）同频率下，CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高，CL值也越来越大，但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大，内存条的CL延迟就越大，内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。