第二百八十章 幻如果杞人忧天

=不懂就猜和懂就科普的差别=
银子ginsonko回复 @纯白色提莫种蘑菇 :
你的探究精神值得肯定，但还是需要积累更多的知识，学习更多的原理。弱电芯片不代表通过的电流弱，其次它依旧是芯片，是芯片就是由基础逻辑电路构成的，而要实现最基础的与或非门逻辑电路，用第二类超导体也是不可能的，一个第二类超导体做成的逻辑电路最小要巴掌大，而且由于材料性质不能再小了，其次你需要数以亿计的逻辑电路才能组成一个最原始的计算器，每增加一个级别的运算能力所需要的逻辑电路数量级呈指数级上升，你说我们现在芯片都是纳米级别工艺，你相信一立方米有多少立方纳米？有10的27次方！你有这么多的逻辑电路，运行能力就很强了吗？现在运算起来距离带8k游戏60帧都困难，更别提你一立方厘米弄一个逻辑电路，同样的算力的芯片起码得比太阳系填满了加起来都大了，算力都不如一张3090显卡，更何况超导做芯片对比银基芯片唯一的优势就是没有发热，算力并没有什么区别，发热问题不用第二类超导也可以用别的方法简单解决，花这个人力物力去做第二类超导芯片完全是睿智行为。
至于你想的提高载流子的方法，和物理结构没有关系，载流子是两个电子结合所产生的爱因斯坦第五凝聚形态，也就是库珀对，如果想提高载流子必须提高库珀对数量，高压不仅会破坏本来的巧妙的晶格结构，导致第二类超导直接制作失败，还可能会让构成物质之间产生新的化学反应，之前样品失败大多都是压力过大过小、温度控制不均匀等原因导致的，每失败一次，光材料就是几万没了，更别提还有各种设施费用，因为没有前景和确实的实用价值，也不会有经费，为爱发电太难了；其次，想提高库珀对密度，就得提高晶格密度，也就是要减小每个晶格的体积，减小晶格体积的话抵抗温度的能力就会减弱，临界温度就会降低，因此温度和承载电流的能力之间是互相拮抗的关系，温度越高，能承载电流就越小，温度越低，能承载电流越大，因此目前这方面的科研人员都倾向于在不改变其元素结构的情况下通过微观的操作来提升其载流子数量等方法了，这篇文章就是其中一个流派。